Fabrikant Productnummer:
SI3443DDV-T1-GE3
Product Overview
Fabrikant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
SI3443DDV-T1-GE3-DG
Beschrijving:
MOSFET P-CH 20V 4A/5.3A 6TSOP
Gedetailleerde Beschrijving:
P-Channel 20 V 4A (Ta), 5.3A (Tc) 1.7W (Ta), 2.7W (Tc) Surface Mount 6-TSOP
Voorraad:
13976 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12916689
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
SI3443DDV-T1-GE3 Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Vishay
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Reeks
TrenchFET®
Toestand van het product
Active
Soort FET
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
20 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
4A (Ta), 5.3A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
2.5V, 4.5V
Rds aan (max) @ id, vgs
47mOhm @ 4.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
30 nC @ 8 V
Vgs (Max.)
±12V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
970 pF @ 10 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
1.7W (Ta), 2.7W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
6-TSOP
Pakket / Doos
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Basis productnummer
SI3443
Datasheet & Documenten
Aanvullende informatie
Standaard pakket
3,000
Andere namen
SI3443DDV-T1-GE3DKR
SI3443DDV-T1-GE3CT
SI3443DDV-T1-GE3TR
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
IXFK170N10P
MOSFET N-CH 100V 170A TO264AA
SQJ422EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 40V 74A PPAK SO-8
SIHD2N80AE-GE3
MOSFET N-CH 800V 2.9A DPAK
