Fabrikant Productnummer:
SI3458BDV-T1-E3
Product Overview
Fabrikant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
SI3458BDV-T1-E3-DG
Beschrijving:
MOSFET N-CH 60V 4.1A 6TSOP
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 60 V 4.1A (Tc) 2W (Ta), 3.3W (Tc) Surface Mount 6-TSOP
Voorraad:
7365 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12914153
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
SI3458BDV-T1-E3 Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Vishay
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Reeks
TrenchFET®
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
60 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
4.1A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
4.5V, 10V
Rds aan (max) @ id, vgs
100mOhm @ 3.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
11 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
350 pF @ 30 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
2W (Ta), 3.3W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
6-TSOP
Pakket / Doos
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Basis productnummer
SI3458
Datasheet & Documenten
Aanvullende informatie
Standaard pakket
3,000
Andere namen
SI3458BDV-T1-E3TR
SI3458BDV-T1-E3DKR
SI3458BDV-T1-E3CT
SI3458BDVT1E3
SI3458BDV-T1-E3-DG
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
SI1304BDL-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 900MA SC70-3
SI7615CDN-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 35A PPAK1212-8
IRFU9210PBF
MOSFET P-CH 200V 1.9A TO251AA
