SI3493BDV-T1-GE3
Fabrikant Productnummer:

SI3493BDV-T1-GE3

Product Overview

Fabrikant:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Onderdeelnummer:

SI3493BDV-T1-GE3-DG

Beschrijving:

MOSFET P-CH 20V 8A 6TSOP
Gedetailleerde Beschrijving:
P-Channel 20 V 8A (Tc) 2.08W (Ta), 2.97W (Tc) Surface Mount 6-TSOP

Voorraad:

15439 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12917525
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN

SI3493BDV-T1-GE3 Technische specificaties

Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Vishay
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Reeks
TrenchFET®
Toestand van het product
Active
Soort FET
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
20 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
8A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
1.8V, 4.5V
Rds aan (max) @ id, vgs
27.5mOhm @ 7A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
900mV @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
43.5 nC @ 5 V
Vgs (Max.)
±8V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
1805 pF @ 10 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
2.08W (Ta), 2.97W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
6-TSOP
Pakket / Doos
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Basis productnummer
SI3493

Datasheet & Documenten

Technische fiches
Datasheets
HTML Gegevensblad

Aanvullende informatie

Standaard pakket
3,000
Andere namen
SI3493BDV-T1-GE3CT
2266-SI3493BDV-T1-GE3TR
SI3493BDVT1GE3
SI3493BDV-T1-GE3DKR
SI3493BDV-T1-GE3TR

Milieu- en Exportclassificatie

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
vishay-siliconix

SI3481DV-T1-GE3

MOSFET P-CH 30V 4A 6TSOP

vishay-siliconix

SIHG64N65E-GE3

MOSFET N-CH 650V 64A TO247AC

nexperia

PMV164ENEAR

MOSFET N-CH 60V 1.6A TO236AB

vishay-siliconix

SI4056DY-T1-GE3

MOSFET N-CH 100V 11.1A 8SO