SI3879DV-T1-E3
Fabrikant Productnummer:

SI3879DV-T1-E3

Product Overview

Fabrikant:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Onderdeelnummer:

SI3879DV-T1-E3-DG

Beschrijving:

MOSFET P-CH 20V 5A 6TSOP
Gedetailleerde Beschrijving:
P-Channel 20 V 5A (Tc) 2W (Ta), 3.3W (Tc) Surface Mount 6-TSOP

Voorraad:

12918512
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN

SI3879DV-T1-E3 Technische specificaties

Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Vishay
Verpakking
-
Reeks
LITTLE FOOT®
Toestand van het product
Obsolete
Soort FET
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
20 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
5A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
2.5V, 4.5V
Rds aan (max) @ id, vgs
70mOhm @ 3.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
14.5 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±12V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
480 pF @ 10 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
2W (Ta), 3.3W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
6-TSOP
Pakket / Doos
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Basis productnummer
SI3879

Datasheet & Documenten

Technische fiches

Aanvullende informatie

Standaard pakket
3,000

Milieu- en Exportclassificatie

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternatieve Modellen

DEELNUMMER
FDC634P
Fabrikant
onsemi
BESCHIKBARE HOEVEELHEID
5000
DEELNUMMER
FDC634P-DG
EENHEIDSPRIJS
0.18
SUBSTITUTIE TYPE
MFR Recommended
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
vishay-siliconix

SIHD1K4N60E-GE3

MOSFET N-CH 600V 4.2A TO252AA

vishay-siliconix

SI4688DY-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 8.9A 8SO

vishay-siliconix

SUD15N15-95-E3

MOSFET N-CH 150V 15A TO252

vishay-siliconix

SUM110N04-03-E3

MOSFET N-CH 40V 110A TO263