Fabrikant Productnummer:
SI4100DY-T1-E3
Product Overview
Fabrikant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
SI4100DY-T1-E3-DG
Beschrijving:
MOSFET N-CH 100V 6.8A 8SO
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 100 V 6.8A (Tc) 2.5W (Ta), 6W (Tc) Surface Mount 8-SOIC
Voorraad:
30952 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12913363
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
SI4100DY-T1-E3 Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Vishay
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Reeks
TrenchFET®
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
100 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
6.8A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
6V, 10V
Rds aan (max) @ id, vgs
63mOhm @ 4.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
600 pF @ 50 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
2.5W (Ta), 6W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
8-SOIC
Pakket / Doos
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Basis productnummer
SI4100
Datasheet & Documenten
Aanvullende informatie
Standaard pakket
2,500
Andere namen
SI4100DY-T1-E3DKR
SI4100DY-T1-E3TR
SI4100DY-T1-E3CT
SI4100DY-T1-E3-DG
SI4100DYT1E3
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
SI4412ADY-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 5.8A 8SO
IRFR9110TRPBF
MOSFET P-CH 100V 3.1A DPAK
IXTT30N50P
MOSFET N-CH 500V 30A TO268