Fabrikant Productnummer:
SI4425FDY-T1-GE3
Product Overview
Fabrikant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
SI4425FDY-T1-GE3-DG
Beschrijving:
MOSFET P-CH 30V 12.7/18.3A 8SOIC
Gedetailleerde Beschrijving:
P-Channel 30 V 12.7A (Ta), 18.3A (Tc) 2.3W (Ta), 4.8W (Tc) Surface Mount 8-SOIC
Voorraad:
12584 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12914494
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
SI4425FDY-T1-GE3 Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Vishay
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Reeks
TrenchFET® Gen IV
Toestand van het product
Active
Soort FET
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
30 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
12.7A (Ta), 18.3A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
4.5V, 10V
Rds aan (max) @ id, vgs
9.5mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
41 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
+16V, -20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
1620 pF @ 15 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
2.3W (Ta), 4.8W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
8-SOIC
Pakket / Doos
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Basis productnummer
SI4425
Datasheet & Documenten
Aanvullende informatie
Standaard pakket
2,500
Andere namen
SI4425FDY-T1-GE3TR
SI4425FDY-T1-GE3DKR
SI4425FDY-T1-GE3CT
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
IRFP340PBF
MOSFET N-CH 400V 11A TO247-3
SI6469DQ-T1-E3
MOSFET P-CH 8V 8TSSOP
IRLL014
MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT223
