Fabrikant Productnummer:
SI4435DDY-T1-GE3
Product Overview
Fabrikant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
SI4435DDY-T1-GE3-DG
Beschrijving:
MOSFET P-CH 30V 11.4A 8SO
Gedetailleerde Beschrijving:
P-Channel 30 V 11.4A (Tc) 2.5W (Ta), 5W (Tc) Surface Mount 8-SOIC
Voorraad:
26977 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12918036
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
SI4435DDY-T1-GE3 Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Vishay
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Reeks
TrenchFET®
Toestand van het product
Active
Soort FET
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
30 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
11.4A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
4.5V, 10V
Rds aan (max) @ id, vgs
24mOhm @ 9.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
50 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
1350 pF @ 15 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
2.5W (Ta), 5W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
8-SOIC
Pakket / Doos
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Basis productnummer
SI4435
Datasheet & Documenten
Aanvullende informatie
Standaard pakket
2,500
Andere namen
SI4435DDY-T1-GE3CT
SI4435DDY-T1-GE3TR
SI4435DDYT1GE3
SI4435DDY-T1-GE3DKR
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
SIA443DJ-T1-E3
MOSFET P-CH 20V 9A PPAK SC70-6
SI4413CDY-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 8-SOIC
SIA415DJ-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6
