SI4462DY-T1-GE3
Fabrikant Productnummer:

SI4462DY-T1-GE3

Product Overview

Fabrikant:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Onderdeelnummer:

SI4462DY-T1-GE3-DG

Beschrijving:

MOSFET N-CH 200V 1.15A 8SO
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 200 V 1.15A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount 8-SOIC

Voorraad:

Offerte Aanvragen Online
12912628
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN

SI4462DY-T1-GE3 Technische specificaties

Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Vishay
Verpakking
-
Reeks
TrenchFET®
Toestand van het product
Obsolete
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
200 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
1.15A (Ta)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
6V, 10V
Rds aan (max) @ id, vgs
480mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
9 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
1.3W (Ta)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
8-SOIC
Pakket / Doos
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Basis productnummer
SI4462

Aanvullende informatie

Standaard pakket
2,500

Milieu- en Exportclassificatie

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternatieve Modellen

DEELNUMMER
SI4464DY-T1-GE3
Fabrikant
Vishay Siliconix
BESCHIKBARE HOEVEELHEID
0
DEELNUMMER
SI4464DY-T1-GE3-DG
EENHEIDSPRIJS
0.47
SUBSTITUTIE TYPE
MFR Recommended
DIGI Certificering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Gerelateerde Producten
vishay-siliconix

SI2307BDS-T1-E3

MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT23-3

vishay-siliconix

IRL2203STRL

MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK

vishay-siliconix

SI7485DP-T1-GE3

MOSFET P-CH 20V 12.5A PPAK SO-8

vishay-siliconix

SI3475DV-T1-E3

MOSFET P-CH 200V 950MA 6TSOP