SI4463CDY-T1-GE3
Fabrikant Productnummer:

SI4463CDY-T1-GE3

Product Overview

Fabrikant:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Onderdeelnummer:

SI4463CDY-T1-GE3-DG

Beschrijving:

MOSFET P-CH 20V 13.6A/49A 8SO
Gedetailleerde Beschrijving:
P-Channel 20 V 13.6A (Ta), 49A (Tc) 2.7W (Ta), 5W (Tc) Surface Mount 8-SOIC

Voorraad:

20170 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12915350
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN

SI4463CDY-T1-GE3 Technische specificaties

Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Vishay
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Reeks
TrenchFET®
Toestand van het product
Active
Soort FET
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
20 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
13.6A (Ta), 49A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
2.5V, 10V
Rds aan (max) @ id, vgs
8mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.4V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
162 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±12V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
4250 pF @ 15 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
2.7W (Ta), 5W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
8-SOIC
Pakket / Doos
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Basis productnummer
SI4463

Datasheet & Documenten

Technische fiches
Datasheets
HTML Gegevensblad

Aanvullende informatie

Standaard pakket
2,500
Andere namen
SI4463CDY-T1-GE3DKR
SI4463CDY-T1-GE3CT
SI4463CDY-T1-GE3TR

Milieu- en Exportclassificatie

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
vishay-siliconix

SI4435BDY-T1-E3

MOSFET P-CH 30V 7A 8SO

vishay-siliconix

IRFU420APBF

MOSFET N-CH 500V 3.3A TO251AA

nexperia

BUK7Y10-30B,115

MOSFET N-CH 30V 67A LFPAK56

vishay-siliconix

IRFP21N60LPBF

MOSFET N-CH 600V 21A TO247-3