Fabrikant Productnummer:
SI4466DY-T1-E3
Product Overview
Fabrikant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
SI4466DY-T1-E3-DG
Beschrijving:
MOSFET N-CH 20V 9.5A 8SO
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 20 V 9.5A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Voorraad:
12917340
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
SI4466DY-T1-E3 Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Vishay
Verpakking
-
Reeks
TrenchFET®
Toestand van het product
Obsolete
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
20 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
9.5A (Ta)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
2.5V, 4.5V
Rds aan (max) @ id, vgs
9mOhm @ 13.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.4V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
60 nC @ 4.5 V
Vgs (Max.)
±12V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
1.5W (Ta)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
8-SOIC
Pakket / Doos
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Basis productnummer
SI4466
Aanvullende informatie
Standaard pakket
2,500
Andere namen
SI4466DYT1E3
SI4466DY-T1-E3DKR
SI4466DY-T1-E3TR
SI4466DY-T1-E3CT
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatieve Modellen
DEELNUMMER
DMN2009LSS-13
Fabrikant
Diodes Incorporated
BESCHIKBARE HOEVEELHEID
1816
DEELNUMMER
DMN2009LSS-13-DG
EENHEIDSPRIJS
0.22
SUBSTITUTIE TYPE
MFR Recommended
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
PMV15ENEAR
MOSFET N-CH 30V 6.2A TO236AB
SI1077X-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V SC89-6
SIRA34DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
