SI4483EDY-T1-GE3
Fabrikant Productnummer:

SI4483EDY-T1-GE3

Product Overview

Fabrikant:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Onderdeelnummer:

SI4483EDY-T1-GE3-DG

Beschrijving:

MOSFET P-CH 30V 10A 8SO
Gedetailleerde Beschrijving:
P-Channel 30 V 10A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC

Voorraad:

Offerte Aanvragen Online
12914518
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN

SI4483EDY-T1-GE3 Technische specificaties

Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Vishay
Verpakking
-
Reeks
TrenchFET®
Toestand van het product
Obsolete
Soort FET
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
30 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
10A (Ta)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
4.5V, 10V
Rds aan (max) @ id, vgs
8.5mOhm @ 14A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Vgs (Max.)
±25V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
1.5W (Ta)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
8-SOIC
Pakket / Doos
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Basis productnummer
SI4483

Aanvullende informatie

Standaard pakket
2,500

Milieu- en Exportclassificatie

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternatieve Modellen

DEELNUMMER
DMG4413LSS-13
Fabrikant
Diodes Incorporated
BESCHIKBARE HOEVEELHEID
3968
DEELNUMMER
DMG4413LSS-13-DG
EENHEIDSPRIJS
0.32
SUBSTITUTIE TYPE
MFR Recommended
DIGI Certificering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Gerelateerde Producten
vishay-siliconix

IRFBE20STRR

MOSFET N-CH 800V 1.8A D2PAK

vishay-siliconix

SI2306BDS-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 3.16A SOT23-3

vishay-siliconix

IRFP360LCPBF

MOSFET N-CH 400V 23A TO247-3

littelfuse

IXTT360N055T2

MOSFET N-CH 55V 360A TO268