SI4630DY-T1-GE3
Fabrikant Productnummer:

SI4630DY-T1-GE3

Product Overview

Fabrikant:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Onderdeelnummer:

SI4630DY-T1-GE3-DG

Beschrijving:

MOSFET N-CH 25V 40A 8SO
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 25 V 40A (Tc) 3.5W (Ta), 7.8W (Tc) Surface Mount 8-SOIC

Voorraad:

2500 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12918542
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN

SI4630DY-T1-GE3 Technische specificaties

Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Vishay
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Reeks
TrenchFET®
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
25 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
40A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
4.5V, 10V
Rds aan (max) @ id, vgs
2.7mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
161 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±16V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
6670 pF @ 15 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
3.5W (Ta), 7.8W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
8-SOIC
Pakket / Doos
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Basis productnummer
SI4630

Datasheet & Documenten

Technische fiches
Datasheets
HTML Gegevensblad

Aanvullende informatie

Standaard pakket
2,500
Andere namen
SI4630DYT1GE3
SI4630DY-T1-GE3TR
SI4630DY-T1-GE3DKR
SI4630DY-T1-GE3CT

Milieu- en Exportclassificatie

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH info available upon request
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
vishay-siliconix

SI4836DY-T1-E3

MOSFET N-CH 12V 17A 8SO

vishay-siliconix

SIA814DJ-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 4.5A PPAK SC70-6

vishay-siliconix

SI4800BDY-T1-E3

MOSFET N-CH 30V 6.5A 8SO

vishay-siliconix

SIJ458DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8