SI4660DY-T1-GE3
Fabrikant Productnummer:

SI4660DY-T1-GE3

Product Overview

Fabrikant:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Onderdeelnummer:

SI4660DY-T1-GE3-DG

Beschrijving:

MOSFET N-CH 25V 23.1A 8SO
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 25 V 23.1A (Tc) 3.1W (Ta), 5.6W (Tc) Surface Mount 8-SOIC

Voorraad:

Offerte Aanvragen Online
12914540
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN

SI4660DY-T1-GE3 Technische specificaties

Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Vishay
Verpakking
-
Reeks
TrenchFET®
Toestand van het product
Obsolete
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
25 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
23.1A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
4.5V, 10V
Rds aan (max) @ id, vgs
5.8mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
45 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±16V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
2410 pF @ 15 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
3.1W (Ta), 5.6W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
8-SOIC
Pakket / Doos
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Basis productnummer
SI4660

Aanvullende informatie

Standaard pakket
2,500
Andere namen
SI4660DY-T1-GE3CT
SI4660DY-T1-GE3TR
SI4660DYT1GE3
SI4660DY-T1-GE3DKR

Milieu- en Exportclassificatie

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Gerelateerde Producten
vishay-siliconix

IRL530STRRPBF

MOSFET N-CH 100V 15A D2PAK

vishay-siliconix

SI7892BDP-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 15A PPAK SO-8

vishay-siliconix

SI7107DN-T1-E3

MOSFET P-CH 20V 9.8A PPAK1212-8

littelfuse

IXFT36N60P

MOSFET N-CH 600V 36A TO268