SI4668DY-T1-E3

Fabrikant Productnummer:

SI4668DY-T1-E3

Product Overview

Fabrikant:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Onderdeelnummer:

SI4668DY-T1-E3-DG

Beschrijving:

MOSFET N-CH 25V 16.2A 8SO

Gedetailleerde Beschrijving:

N-Channel 25 V 16.2A (Tc) 2.5W (Ta), 5W (Tc) Surface Mount 8-SOIC

Voorraad:

Offerte Aanvragen Online

12913313

Offerte Aanvragen

Aantal
Minimaal 1

(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op

INDIENEN

SI4668DY-T1-E3 Technische specificaties

Categorie

FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's

Fabrikant

Vishay

Verpakking

-

Reeks

TrenchFET®

Toestand van het product

Active

Soort FET

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Afvoer naar bronspanning (VDSS)

25 V

Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C

16.2A (Tc)

Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)

4.5V, 10V

Rds aan (max) @ id, vgs

10.5mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.6V @ 250µA

Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs

42 nC @ 10 V

Vgs (Max.)

±16V

Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds

1654 pF @ 15 V

FET-functie

-

Vermogensdissipatie (max.)

2.5W (Ta), 5W (Tc)

Werkende Temperatuur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type montage

Surface Mount

Leverancier Device Pakket

8-SOIC

Pakket / Doos

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Basis productnummer

SI4668

Datasheet & Documenten

Technische fiches

Datasheets

HTML Gegevensblad

SI4668DY-T1-E3-DG

Aanvullende informatie

Standaard pakket

2,500

Milieu- en Exportclassificatie

RoHS-status

ROHS3 Compliant

Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)

1 (Unlimited)

Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Certificering

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Gerelateerde Producten

vishay-siliconix

SI3424DV-T1-E3

MOSFET N-CH 30V 5A 6-TSOP

vishay-siliconix

SI3481DV-T1-E3

MOSFET P-CH 30V 4A 6TSOP

micro-commercial-components

MCT06P10-TP

MOSFET P-CH 100V 6A SOT223

nexperia

PSMN6R0-30YLDX

MOSFET N-CH 30V 66A LFPAK56