SI4686DY-T1-E3
Fabrikant Productnummer:

SI4686DY-T1-E3

Product Overview

Fabrikant:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Onderdeelnummer:

SI4686DY-T1-E3-DG

Beschrijving:

MOSFET N-CH 30V 18.2A 8SO
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 30 V 18.2A (Tc) 3W (Ta), 5.2W (Tc) Surface Mount 8-SOIC

Voorraad:

7223 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12917632
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN

SI4686DY-T1-E3 Technische specificaties

Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Vishay
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Reeks
TrenchFET®
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
30 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
18.2A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
4.5V, 10V
Rds aan (max) @ id, vgs
9.5mOhm @ 13.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
26 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
1220 pF @ 15 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
3W (Ta), 5.2W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
8-SOIC
Pakket / Doos
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Basis productnummer
SI4686

Datasheet & Documenten

Technische fiches
Datasheets
HTML Gegevensblad

Aanvullende informatie

Standaard pakket
2,500
Andere namen
SI4686DY-T1-E3TR
SI4686DYT1E3
SI4686DY-T1-E3CT
SI4686DY-T1-E3DKR

Milieu- en Exportclassificatie

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH info available upon request
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
vishay-siliconix

SIS436DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 25V 16A PPAK 1212-8

vishay-siliconix

SI2323DDS-T1-GE3

MOSFET P-CH 20V 5.3A SOT-23

vishay-siliconix

SI3474DV-T1-GE3

MOSFET N-CH 100V 3.8A 6TSOP

vishay-siliconix

SIA811DJ-T1-GE3

MOSFET P-CH 20V 4.5A PPAK SC70-6