SI4829DY-T1-GE3
Fabrikant Productnummer:

SI4829DY-T1-GE3

Product Overview

Fabrikant:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Onderdeelnummer:

SI4829DY-T1-GE3-DG

Beschrijving:

MOSFET P-CH 20V 2A 8SO
Gedetailleerde Beschrijving:
P-Channel 20 V 2A (Tc) 2W (Ta), 3.1W (Tc) Surface Mount 8-SOIC

Voorraad:

Offerte Aanvragen Online
12919089
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN

SI4829DY-T1-GE3 Technische specificaties

Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Vishay
Verpakking
-
Reeks
LITTLE FOOT®
Toestand van het product
Obsolete
Soort FET
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
20 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
2A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
2.5V, 4.5V
Rds aan (max) @ id, vgs
215mOhm @ 2.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
8 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±12V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
210 pF @ 10 V
FET-functie
Schottky Diode (Isolated)
Vermogensdissipatie (max.)
2W (Ta), 3.1W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
8-SOIC
Pakket / Doos
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Basis productnummer
SI4829

Aanvullende informatie

Standaard pakket
2,500
Andere namen
SI4829DY-T1-GE3CT
SI4829DYT1GE3
SI4829DY-T1-GE3TR
SI4829DY-T1-GE3DKR

Milieu- en Exportclassificatie

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Gerelateerde Producten
vishay-siliconix

SIHU3N50D-E3

MOSFET N-CH 500V 3A TO251AA

vishay-siliconix

SIHD6N65ET4-GE3

MOSFET N-CH 650V 7A TO252AA

vishay-siliconix

SI5402BDC-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 4.9A 1206-8

vishay-siliconix

SI4838DY-T1-E3

MOSFET N-CH 12V 17A 8SO