Fabrikant Productnummer:
SI4916DY-T1-GE3
Product Overview
Fabrikant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
SI4916DY-T1-GE3-DG
Beschrijving:
MOSFET 2N-CH 30V 10A/10.5A 8SOIC
Gedetailleerde Beschrijving:
Mosfet Array 30V 10A, 10.5A 3.3W, 3.5W Surface Mount 8-SOIC
Voorraad:
12915827
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
SI4916DY-T1-GE3 Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, FET, MOSFET-arrays
Fabrikant
Vishay
Verpakking
-
Reeks
LITTLE FOOT®
Toestand van het product
Obsolete
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Configuratie
2 N-Channel (Half Bridge)
FET-functie
Logic Level Gate
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
30V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
10A, 10.5A
Rds aan (max) @ id, vgs
18mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
10nC @ 4.5V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
-
Vermogen - Max
3.3W, 3.5W
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Pakket / Doos
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Leverancier Device Pakket
8-SOIC
Basis productnummer
SI4916
Datasheet & Documenten
Aanvullende informatie
Standaard pakket
2,500
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatieve Modellen
DEELNUMMER
SI4816BDY-T1-GE3
Fabrikant
Vishay Siliconix
BESCHIKBARE HOEVEELHEID
0
DEELNUMMER
SI4816BDY-T1-GE3-DG
EENHEIDSPRIJS
0.63
SUBSTITUTIE TYPE
MFR Recommended
DEELNUMMER
FDS8984
Fabrikant
onsemi
BESCHIKBARE HOEVEELHEID
42685
DEELNUMMER
FDS8984-DG
EENHEIDSPRIJS
0.22
SUBSTITUTIE TYPE
MFR Recommended
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
SIF912EDZ-T1-E3
MOSFET 2N-CH 30V 7.4A PPAK
SQJQ960EL-T1_GE3
MOSFET 2N-CH 60V 63A PPAK8X8
SQ9945AEY-T1-E3
MOSFET 2N-CH 60V 3.7A 8SOIC
