SI5418DU-T1-GE3
Fabrikant Productnummer:

SI5418DU-T1-GE3

Product Overview

Fabrikant:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Onderdeelnummer:

SI5418DU-T1-GE3-DG

Beschrijving:

MOSFET N-CH 30V 12A PPAK
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 30 V 12A (Tc) 3.1W (Ta), 31W (Tc) Surface Mount PowerPAK® ChipFET™ Single

Voorraad:

1882 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12954366
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN

SI5418DU-T1-GE3 Technische specificaties

Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Vishay
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Reeks
TrenchFET®
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
30 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
4.5V, 10V
Rds aan (max) @ id, vgs
14.5mOhm @ 7.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
1350 pF @ 15 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
3.1W (Ta), 31W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
PowerPAK® ChipFET™ Single
Pakket / Doos
PowerPAK® ChipFET™ Single
Basis productnummer
SI5418

Datasheet & Documenten

Technische fiches
Datasheets
HTML Gegevensblad

Aanvullende informatie

Standaard pakket
3,000
Andere namen
SI5418DU-T1-GE3CT
SI5418DU-T1-GE3TR
SI5418DUT1GE3
SI5418DU-T1-GE3DKR

Milieu- en Exportclassificatie

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
linear-integrated-systems

SD214DE TO-72 4L

HIGH SPEED N-CHANNEL LATERAL DMO

vishay-siliconix

SIDR104ADP-T1-RE3

MOSFET N-CH 100V 18.8A/81A PPAK

microsemi

JAN2N6768

MOSFET N-CH 400V 14A TO204AE

renesas-electronics-america

2SK3105-T1B-A

SMALL SIGNAL FET