Fabrikant Productnummer:
SI5908DC-T1-GE3
Product Overview
Fabrikant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
SI5908DC-T1-GE3-DG
Beschrijving:
MOSFET 2N-CH 20V 4.4A 1206-8
Gedetailleerde Beschrijving:
Mosfet Array 20V 4.4A 1.1W Surface Mount 1206-8 ChipFET™
Voorraad:
27807 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12918167
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
SI5908DC-T1-GE3 Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, FET, MOSFET-arrays
Fabrikant
Vishay
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Reeks
TrenchFET®
Toestand van het product
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Configuratie
2 N-Channel (Dual)
FET-functie
Logic Level Gate
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
20V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
4.4A
Rds aan (max) @ id, vgs
40mOhm @ 4.4A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
7.5nC @ 4.5V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
-
Vermogen - Max
1.1W
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Pakket / Doos
8-SMD, Flat Lead
Leverancier Device Pakket
1206-8 ChipFET™
Basis productnummer
SI5908
Datasheet & Documenten
Aanvullende informatie
Standaard pakket
3,000
Andere namen
SI5908DC-T1-GE3TR
SI5908DCT1GE3
SI5908DC-T1-GE3DKR
SI5908DC-T1-GE3CT
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
SI4946BEY-T1-E3
MOSFET 2N-CH 60V 6.5A 8SOIC
SI7288DP-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 40V 20A PPAK SO8
SI7904DN-T1-E3
MOSFET 2N-CH 20V 5.3A PPAK 1212
