SI5908DC-T1-GE3
Fabrikant Productnummer:

SI5908DC-T1-GE3

Product Overview

Fabrikant:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Onderdeelnummer:

SI5908DC-T1-GE3-DG

Beschrijving:

MOSFET 2N-CH 20V 4.4A 1206-8
Gedetailleerde Beschrijving:
Mosfet Array 20V 4.4A 1.1W Surface Mount 1206-8 ChipFET™

Voorraad:

27807 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12918167
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN

SI5908DC-T1-GE3 Technische specificaties

Categorie
FET's, MOSFET's, FET, MOSFET-arrays
Fabrikant
Vishay
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Reeks
TrenchFET®
Toestand van het product
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Configuratie
2 N-Channel (Dual)
FET-functie
Logic Level Gate
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
20V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
4.4A
Rds aan (max) @ id, vgs
40mOhm @ 4.4A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
7.5nC @ 4.5V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
-
Vermogen - Max
1.1W
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Pakket / Doos
8-SMD, Flat Lead
Leverancier Device Pakket
1206-8 ChipFET™
Basis productnummer
SI5908

Datasheet & Documenten

Technische fiches
Datasheets
HTML Gegevensblad

Aanvullende informatie

Standaard pakket
3,000
Andere namen
SI5908DC-T1-GE3TR
SI5908DCT1GE3
SI5908DC-T1-GE3DKR
SI5908DC-T1-GE3CT

Milieu- en Exportclassificatie

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
vishay-siliconix

SI4946BEY-T1-E3

MOSFET 2N-CH 60V 6.5A 8SOIC

vishay-siliconix

SI7288DP-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 40V 20A PPAK SO8

vishay-siliconix

SI7904DN-T1-E3

MOSFET 2N-CH 20V 5.3A PPAK 1212

vishay-siliconix

SI3585CDV-T1-GE3

MOSFET N/P-CH 20V 3.9A 6TSOP