Fabrikant Productnummer:
SI7129DN-T1-GE3
Product Overview
Fabrikant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
SI7129DN-T1-GE3-DG
Beschrijving:
MOSFET P-CH 30V 35A PPAK1212-8
Gedetailleerde Beschrijving:
P-Channel 30 V 35A (Tc) 3.8W (Ta), 52.1W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Voorraad:
12219 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12920447
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
SI7129DN-T1-GE3 Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Vishay
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Reeks
TrenchFET®
Toestand van het product
Active
Soort FET
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
30 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
35A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
4.5V, 10V
Rds aan (max) @ id, vgs
11.4mOhm @ 14.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.8V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
71 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
3345 pF @ 15 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
3.8W (Ta), 52.1W (Tc)
Werkende Temperatuur
-50°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
PowerPAK® 1212-8
Pakket / Doos
PowerPAK® 1212-8
Basis productnummer
SI7129
Datasheet & Documenten
Aanvullende informatie
Standaard pakket
3,000
Andere namen
SI7129DN-T1-GE3DKR
SI7129DN-T1-GE3CT
SI7129DN-T1-GE3-DG
SI7129DN-T1-GE3TR
SI7129DNT1GE3
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH info available upon request
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
SIHA6N80E-GE3
MOSFET N-CH 800V 5.4A TO220
SIE810DF-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 60A 10POLARPAK
SUM90N08-7M6P-E3
MOSFET N-CH 75V 90A TO263
