Fabrikant Productnummer:
SI7230DN-T1-GE3
Product Overview
Fabrikant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
SI7230DN-T1-GE3-DG
Beschrijving:
MOSFET N-CH 30V 9A PPAK 1212-8
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 30 V 9A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Voorraad:
12914742
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
SI7230DN-T1-GE3 Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Vishay
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Reeks
TrenchFET®
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
30 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
9A (Ta)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
4.5V, 10V
Rds aan (max) @ id, vgs
12mOhm @ 14A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
20 nC @ 5 V
Vgs (Max.)
±20V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
1.5W (Ta)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
PowerPAK® 1212-8
Pakket / Doos
PowerPAK® 1212-8
Basis productnummer
SI7230
Datasheet & Documenten
Aanvullende informatie
Standaard pakket
3,000
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatieve Modellen
DEELNUMMER
RQ3E100MNTB1
Fabrikant
Rohm Semiconductor
BESCHIKBARE HOEVEELHEID
5261
DEELNUMMER
RQ3E100MNTB1-DG
EENHEIDSPRIJS
0.40
SUBSTITUTIE TYPE
MFR Recommended
DEELNUMMER
RQ3E080BNTB
Fabrikant
Rohm Semiconductor
BESCHIKBARE HOEVEELHEID
40431
DEELNUMMER
RQ3E080BNTB-DG
EENHEIDSPRIJS
0.10
SUBSTITUTIE TYPE
MFR Recommended
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
SI4114DY-T1-E3
MOSFET N-CH 20V 20A 8SO
IRFL210PBF
MOSFET N-CH 200V 960MA SOT223
BUK7520-55A,127
MOSFET N-CH 55V 54A TO220AB
