Fabrikant Productnummer:
SI7850ADP-T1-GE3
Product Overview
Fabrikant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
SI7850ADP-T1-GE3-DG
Beschrijving:
MOSFET N-CH 60V 10.3A/12A PPAK
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 60 V 10.3A (Ta), 12A (Tc) 3.6W (Ta), 35.7W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Voorraad:
7255 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12914312
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
SI7850ADP-T1-GE3 Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Vishay
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Reeks
TrenchFET® Gen IV
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
60 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
10.3A (Ta), 12A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
4.5V, 10V
Rds aan (max) @ id, vgs
19.5mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.8V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
17 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
790 pF @ 30 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
3.6W (Ta), 35.7W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
PowerPAK® SO-8
Pakket / Doos
PowerPAK® SO-8
Basis productnummer
SI7850
Datasheet & Documenten
Aanvullende informatie
Standaard pakket
3,000
Andere namen
SI7850ADP-T1-GE3CT
SI7850ADP-T1-GE3DKR
SI7850ADP-T1-GE3TR
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
IXFX52N60Q2
MOSFET N-CH 600V 52A PLUS247-3
IXFN27N80Q
MOSFET N-CH 800V 27A SOT-227B
FMD21-05QC
MOSFET N-CH 500V 21A I4PAC
