Huis
Producten
fabrikanten
Over DiGi
Neem contact met ons op
Blogs en Berichten
Aanvraag/offerte
Belgium
Aanmelden
Selectieve Taal
Huidige taal van uw keuze:
Belgium
Schakel:
Engels
Europa
Verenigd Koninkrijk
Frankrijk
Spanje
Turkije
Moldavië
Litouwen
Noorwegen
Duitsland
Portugal
Slowakije
Italië
Finland
Russisch
Bulgarije
Denemarken
Estland
Polen
Oekraïne
Slovenië
Tsjechisch
Grieks
Kroatië
Israël
Servië
Wit-Rusland
Nederland
Zweden
Montenegro
Baskisch
IJsland
Bosnië
Hongaars
Roemenië
Oostenrijk
België
Ierland
Azië / Stille Oceaan
China
Vietnam
Indonesië
Thailand
Laos
Filipijns
Maleisië
Korea
Japan
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Saudi-Arabië
Qatar
Koeweit
Cambodja
Myanmar
Afrika, India en het Midden-Oosten
Verenigde Arabische Emiraten
Tadzjikistan
Madagaskar
India
Iran
DR Congo
Zuid-Afrika
Egypte
Kenia
Tanzania
Ghana
Senegal
Marokko
Tunesië
Zuid-Amerika / Oceanië
Nieuw-Zeeland
Angola
Brazilië
Mozambique
Peru
Colombia
Chili
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentinië
Paraguay
Australië
Noord-Amerika
Verenigde Staten
Haïti
Canada
Costa Rica
Mexico
Over DiGi
Over ons
Over ons
Onze Certificeringen
DiGi Introductie
Waarom DiGi
Beleid
Kwaliteitsbeleid
Gebruiksvoorwaarden
RoHS-naleving
Retourproces
Hulpbronnen
Productcategorieën
fabrikanten
Blogs en Berichten
Diensten
Kwaliteitsgarantie
Betaalmethode
Wereldwijde Verzending
Verzendtarieven
Veelgestelde vragen
Fabrikant Productnummer:
SI7960DP-T1-E3
Product Overview
Fabrikant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
SI7960DP-T1-E3-DG
Beschrijving:
MOSFET 2N-CH 60V 6.2A PPAK SO8
Gedetailleerde Beschrijving:
Mosfet Array 60V 6.2A 1.4W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual
Voorraad:
Offerte Aanvragen Online
12913526
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
*
Bedrijf
*
Contactnaam
*
Telefoon
*
E-mail
Leveringsadres
Bericht
(
*
) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
SI7960DP-T1-E3 Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, FET, MOSFET-arrays
Fabrikant
Vishay
Verpakking
-
Reeks
TrenchFET®
Toestand van het product
Obsolete
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Configuratie
2 N-Channel (Dual)
FET-functie
Logic Level Gate
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
60V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
6.2A
Rds aan (max) @ id, vgs
21mOhm @ 9.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
75nC @ 10V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
-
Vermogen - Max
1.4W
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Pakket / Doos
PowerPAK® SO-8 Dual
Leverancier Device Pakket
PowerPAK® SO-8 Dual
Basis productnummer
SI7960
Datasheet & Documenten
Technische fiches
Dual N-Channel 60-V (D-S) MOSFET
Aanvullende informatie
Standaard pakket
3,000
Andere namen
SI7960DP-T1-E3CT
SI7960DP-T1-E3TR
SI7960DP-T1-E3DKR
SI7960DPT1E3
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatieve Modellen
DEELNUMMER
SI7252DP-T1-GE3
Fabrikant
Vishay Siliconix
BESCHIKBARE HOEVEELHEID
0
DEELNUMMER
SI7252DP-T1-GE3-DG
EENHEIDSPRIJS
0.83
SUBSTITUTIE TYPE
MFR Recommended
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
SI4539ADY-T1-GE3
MOSFET N/P-CH 30V 4.4A 8SOIC
SI5513CDC-T1-E3
MOSFET N/P-CH 20V 4A/3.7A 1206-8
SI7216DN-T1-E3
MOSFET 2N-CH 40V 6A PPAK 1212
SI4288DY-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 40V 9.2A 8SOIC