SI8429DB-T1-E1
Fabrikant Productnummer:

SI8429DB-T1-E1

Product Overview

Fabrikant:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Onderdeelnummer:

SI8429DB-T1-E1-DG

Beschrijving:

MOSFET P-CH 8V 11.7A 4MICROFOOT
Gedetailleerde Beschrijving:
P-Channel 8 V 11.7A (Tc) 2.77W (Ta), 6.25W (Tc) Surface Mount 4-Microfoot

Voorraad:

20174 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12917673
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN

SI8429DB-T1-E1 Technische specificaties

Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Vishay
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Reeks
TrenchFET®
Toestand van het product
Active
Soort FET
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
8 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
11.7A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
1.2V, 4.5V
Rds aan (max) @ id, vgs
35mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
800mV @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
26 nC @ 5 V
Vgs (Max.)
±5V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
1640 pF @ 4 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
2.77W (Ta), 6.25W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
4-Microfoot
Pakket / Doos
4-XFBGA, CSPBGA
Basis productnummer
SI8429

Datasheet & Documenten

Technische fiches
Datasheets
HTML Gegevensblad

Aanvullende informatie

Standaard pakket
3,000
Andere namen
SI8429DB-T1-E1DKR
SI8429DBT1E1
SI8429DB-T1-E1CT
SI8429DB-T1-E1TR

Milieu- en Exportclassificatie

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
vishay-siliconix

SI3483CDV-T1-GE3

MOSFET P-CH 30V 8A 6TSOP

vishay-siliconix

SQJA84EP-T1_GE3

MOSFET N-CH 80V 46A PPAK SO-8

vishay-siliconix

SIHS36N50D-E3

MOSFET N-CH 500V 36A SUPER-247

vishay-siliconix

SI3465DV-T1-GE3

MOSFET P-CH 20V 3A 6TSOP