SIA400EDJ-T1-GE3
Fabrikant Productnummer:

SIA400EDJ-T1-GE3

Product Overview

Fabrikant:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Onderdeelnummer:

SIA400EDJ-T1-GE3-DG

Beschrijving:

MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SC70-6
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 30 V 12A (Tc) 19.2W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6

Voorraad:

151951 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12917951
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN

SIA400EDJ-T1-GE3 Technische specificaties

Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Vishay
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Reeks
TrenchFET®
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
30 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
2.5V, 4.5V
Rds aan (max) @ id, vgs
19mOhm @ 11A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
36 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±12V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
1265 pF @ 15 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
19.2W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
PowerPAK® SC-70-6
Pakket / Doos
PowerPAK® SC-70-6
Basis productnummer
SIA400

Datasheet & Documenten

Technische fiches
Datasheets
HTML Gegevensblad

Aanvullende informatie

Standaard pakket
3,000
Andere namen
SIA400EDJ-T1-GE3DKR
SIA400EDJ-T1-GE3TR
SIA400EDJ-T1-GE3-DG
SIA400EDJ-T1-GE3CT

Milieu- en Exportclassificatie

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
Vendor Undefined
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
vishay-siliconix

SUP90140E-GE3

MOSFET N-CH 200V 90A TO220AB

vishay-siliconix

SIS434DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 40V 35A PPAK 1212-8

vishay-siliconix

SIA466EDJ-T1-GE3

MOSFET N-CH 20V 25A PPAK SC70-6

vishay-siliconix

SI5441BDC-T1-E3

MOSFET P-CH 20V 4.4A 1206-8