Fabrikant Productnummer:
SIA430DJT-T1-GE3
Product Overview
Fabrikant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
SIA430DJT-T1-GE3-DG
Beschrijving:
MOSFET N-CH 20V 12A PPAK SC70-6
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 20 V 12A (Tc) 19.2W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Single
Voorraad:
3000 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12786083
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
SIA430DJT-T1-GE3 Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Vishay
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Reeks
-
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
20 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
4.5V, 10V
Rds aan (max) @ id, vgs
13.5mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
18 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
800 pF @ 10 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
19.2W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
PowerPAK® SC-70-6 Single
Pakket / Doos
PowerPAK® SC-70-6
Basis productnummer
SIA430
Datasheet & Documenten
Datasheets
HTML Gegevensblad
Technische fiches
Aanvullende informatie
Standaard pakket
3,000
Andere namen
742-SIA430DJT-T1-GE3DKR
742-SIA430DJT-T1-GE3CT
742-SIA430DJT-T1-GE3TR
SIA430DJT-T1-GE3-DG
Milieu- en Exportclassificatie
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
SIRA22DP-T1-RE3
MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8
SIHP18N60E-GE3
MOSFET N-CH 600V 18A TO220AB
SQD50N06-09L_GE3
MOSFET N-CH 60V 50A TO252
