SIA432DJ-T1-GE3
Fabrikant Productnummer:

SIA432DJ-T1-GE3

Product Overview

Fabrikant:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Onderdeelnummer:

SIA432DJ-T1-GE3-DG

Beschrijving:

MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SC70-6
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 30 V 12A (Tc) 3.5W (Ta), 19.2W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6

Voorraad:

3210 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12787304
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN

SIA432DJ-T1-GE3 Technische specificaties

Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Vishay
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Reeks
TrenchFET®
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
30 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
4.5V, 10V
Rds aan (max) @ id, vgs
20mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
800 pF @ 15 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
3.5W (Ta), 19.2W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
PowerPAK® SC-70-6
Pakket / Doos
PowerPAK® SC-70-6
Basis productnummer
SIA432

Datasheet & Documenten

Technische fiches
Datasheets
HTML Gegevensblad

Aanvullende informatie

Standaard pakket
3,000
Andere namen
SIA432DJ-T1-GE3TR
SIA432DJ-T1-GE3DKR
SIA432DJ-T1-GE3CT
SIA432DJT1GE3

Milieu- en Exportclassificatie

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
vishay-siliconix

SQM40N15-38_GE3

MOSFET N-CH 150V 40A TO263

vishay-siliconix

SQD50P06-15L_GE3

MOSFET P-CH 60V 50A TO252

vishay-siliconix

SUD50P08-25L-E3

MOSFET P-CH 80V 50A TO252

vishay-siliconix

SIHG70N60EF-GE3

MOSFET N-CH 600V 70A TO247AC