SIA438EDJ-T1-GE3
Fabrikant Productnummer:

SIA438EDJ-T1-GE3

Product Overview

Fabrikant:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Onderdeelnummer:

SIA438EDJ-T1-GE3-DG

Beschrijving:

MOSFET N-CH 20V 6A PPAK SC70-6
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 20 V 6A (Tc) 2.4W (Ta), 11.4W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6

Voorraad:

12916597
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN

SIA438EDJ-T1-GE3 Technische specificaties

Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Vishay
Verpakking
-
Reeks
TrenchFET®
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
20 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
6A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
2.5V, 4.5V
Rds aan (max) @ id, vgs
46mOhm @ 3.9A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.4V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±12V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
350 pF @ 10 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
2.4W (Ta), 11.4W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
PowerPAK® SC-70-6
Pakket / Doos
PowerPAK® SC-70-6
Basis productnummer
SIA438

Aanvullende informatie

Standaard pakket
3,000

Milieu- en Exportclassificatie

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
vishay-siliconix

SIR876ADP-T1-GE3

MOSFET N-CH 100V 40A PPAK SO-8

littelfuse

IXFK32N50Q

MOSFET N-CH 500V 32A TO264AA

vishay-siliconix

SIHH26N60EF-T1-GE3

MOSFET N-CH 600V 24A PPAK 8 X 8

vishay-siliconix

SIHP22N60EL-GE3

MOSFET N-CH 600V 21A TO220AB