Fabrikant Productnummer:
SIA912DJ-T1-GE3
Product Overview
Fabrikant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
SIA912DJ-T1-GE3-DG
Beschrijving:
MOSFET 2N-CH 12V 4.5A SC70-6
Gedetailleerde Beschrijving:
Mosfet Array 12V 4.5A 6.5W Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Dual
Voorraad:
12787474
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
SIA912DJ-T1-GE3 Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, FET, MOSFET-arrays
Fabrikant
Vishay
Verpakking
-
Reeks
TrenchFET®
Toestand van het product
Obsolete
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Configuratie
2 N-Channel (Dual)
FET-functie
Logic Level Gate
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
12V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
4.5A
Rds aan (max) @ id, vgs
40mOhm @ 4.2A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
11.5nC @ 8V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
400pF @ 6V
Vermogen - Max
6.5W
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Pakket / Doos
PowerPAK® SC-70-6 Dual
Leverancier Device Pakket
PowerPAK® SC-70-6 Dual
Basis productnummer
SIA912
Aanvullende informatie
Standaard pakket
3,000
Andere namen
SIA912DJ-T1-GE3TR
SIA912DJT1GE3
SIA912DJ-T1-GE3CT
SIA912DJ-T1-GE3DKR
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatieve Modellen
DEELNUMMER
SIA910EDJ-T1-GE3
Fabrikant
Vishay Siliconix
BESCHIKBARE HOEVEELHEID
2096
DEELNUMMER
SIA910EDJ-T1-GE3-DG
EENHEIDSPRIJS
0.17
SUBSTITUTIE TYPE
MFR Recommended
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
SQUN702E-T1_GE3
MOSFET N/P-CH 40V/200V 30A DIE
SIZF300DT-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 30V 23A 8POWERPAIR
SIZ980DT-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 30V 20A 8PWRPAIR
