Fabrikant Productnummer:
SIB417EDK-T1-GE3
Product Overview
Fabrikant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
SIB417EDK-T1-GE3-DG
Beschrijving:
MOSFET P-CH 8V 9A PPAK SC75-6
Gedetailleerde Beschrijving:
P-Channel 8 V 9A (Tc) 2.4W (Ta), 13W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-75-6
Voorraad:
12918589
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
SIB417EDK-T1-GE3 Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Vishay
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Reeks
TrenchFET®
Toestand van het product
Active
Soort FET
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
8 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
9A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
1.2V, 4.5V
Rds aan (max) @ id, vgs
58mOhm @ 5.8A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
12 nC @ 5 V
Vgs (Max.)
±5V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
565 pF @ 4 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
2.4W (Ta), 13W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
PowerPAK® SC-75-6
Pakket / Doos
PowerPAK® SC-75-6
Basis productnummer
SIB417
Datasheet & Documenten
Aanvullende informatie
Standaard pakket
3,000
Andere namen
SIB417EDK-T1-GE3DKR
SIB417EDK-T1-GE3CT
SIB417EDK-T1-GE3TR
SIB417EDKT1GE3
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
SUD50N02-06P-GE3
MOSFET N-CH 20V 50A TO252AA
SIA444DJT-T4-GE3
MOSFET N-CH 30V 11A/12A PPAK
SI7456DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 5.7A PPAK SO-8
