SIB800EDK-T1-GE3
Fabrikant Productnummer:

SIB800EDK-T1-GE3

Product Overview

Fabrikant:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Onderdeelnummer:

SIB800EDK-T1-GE3-DG

Beschrijving:

MOSFET N-CH 20V 1.5A PPAK SC75-6
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 20 V 1.5A (Tc) 1.1W (Ta), 3.1W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-75-6

Voorraad:

Offerte Aanvragen Online
12919859
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN

SIB800EDK-T1-GE3 Technische specificaties

Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Vishay
Verpakking
-
Reeks
LITTLE FOOT®
Toestand van het product
Obsolete
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
20 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
1.5A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
1.5V, 4.5V
Rds aan (max) @ id, vgs
225mOhm @ 1.6A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
1.7 nC @ 4.5 V
Vgs (Max.)
±6V
FET-functie
Schottky Diode (Isolated)
Vermogensdissipatie (max.)
1.1W (Ta), 3.1W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
PowerPAK® SC-75-6
Pakket / Doos
PowerPAK® SC-75-6
Basis productnummer
SIB800

Aanvullende informatie

Standaard pakket
3,000
Andere namen
SIB800EDK-T1-GE3TR
SIB800EDK-T1-GE3CT
SIB800EDKT1GE3
SIB800EDK-T1-GE3DKR

Milieu- en Exportclassificatie

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Gerelateerde Producten
vishay-siliconix

SIA810DJ-T1-GE3

MOSFET N-CH 20V 4.5A PPAK SC70-6

vishay-siliconix

SIHFR9120-GE3

MOSFET P-CH 100V 5.6A DPAK

vishay-siliconix

SIE802DF-T1-E3

MOSFET N-CH 30V 60A 10POLARPAK

vishay-siliconix

SIA110DJ-T1-GE3

MOSFET N-CH 100V 5.4A/12A PPAK