Fabrikant Productnummer:
SIDR220EP-T1-RE3
Product Overview
Fabrikant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
SIDR220EP-T1-RE3-DG
Beschrijving:
N-CHANNEL 25 V (D-S) 175C MOSFET
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 25 V 92.8A (Ta), 415A (Tc) 6.25W (Ta), 415W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8DC
Voorraad:
5988 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12993533
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
SIDR220EP-T1-RE3 Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Vishay
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Reeks
TrenchFET® Gen IV
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
25 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
92.8A (Ta), 415A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
4.5V, 10V
Rds aan (max) @ id, vgs
0.58mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.1V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
200 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
+16V, -12V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
10850 pF @ 10 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
6.25W (Ta), 415W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
PowerPAK® SO-8DC
Pakket / Doos
PowerPAK® SO-8
Datasheet & Documenten
Aanvullende informatie
Standaard pakket
3,000
Andere namen
742-SIDR220EP-T1-RE3TR
742-SIDR220EP-T1-RE3DKR
742-SIDR220EP-T1-RE3CT
Milieu- en Exportclassificatie
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
Vendor Undefined
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
ISC036N04NM5ATMA1
40V 3.6M OPTIMOS MOSFET SUPERSO8
MCU15N10B-TP
Interface
STB30N65DM6AG
AUTOMOTIVE-GRADE N-CHANNEL 650 V
