Fabrikant Productnummer:
SIE822DF-T1-GE3
Product Overview
Fabrikant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
SIE822DF-T1-GE3-DG
Beschrijving:
MOSFET N-CH 20V 50A 10POLARPAK
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 20 V 50A (Tc) 5.2W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount 10-PolarPAK® (S)
Voorraad:
12786430
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
SIE822DF-T1-GE3 Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Vishay
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Reeks
TrenchFET®
Toestand van het product
Last Time Buy
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
20 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
4.5V, 10V
Rds aan (max) @ id, vgs
3.4mOhm @ 18.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
78 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
4200 pF @ 10 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
5.2W (Ta), 104W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
10-PolarPAK® (S)
Pakket / Doos
10-PolarPAK® (S)
Basis productnummer
SIE822
Datasheet & Documenten
Aanvullende informatie
Standaard pakket
3,000
Andere namen
SIE822DF-T1-GE3CT
SIE822DF-T1-GE3TR
SIE822DF-T1-GE3DKR
SIE822DFT1GE3
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
Vendor Undefined
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
SIHG22N60AE-GE3
MOSFET N-CH 600V 20A TO247AC
SISA88DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 16.2A/40.5A PPAK
SQSA80ENW-T1_GE3
MOSFET N-CH 80V 18A PPAK1212-8
