Fabrikant Productnummer:
SIE854DF-T1-E3
Product Overview
Fabrikant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
SIE854DF-T1-E3-DG
Beschrijving:
MOSFET N-CH 100V 60A 10POLARPAK
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 100 V 60A (Tc) 5.2W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount 10-PolarPAK® (L)
Voorraad:
12955054
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
SIE854DF-T1-E3 Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Vishay
Verpakking
-
Reeks
TrenchFET®
Toestand van het product
Obsolete
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
100 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
60A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
10V
Rds aan (max) @ id, vgs
14.2mOhm @ 13.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.4V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
75 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
3100 pF @ 50 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
5.2W (Ta), 125W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
10-PolarPAK® (L)
Pakket / Doos
10-PolarPAK® (L)
Basis productnummer
SIE854
Datasheet & Documenten
Aanvullende informatie
Standaard pakket
3,000
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatieve Modellen
DEELNUMMER
SIR846ADP-T1-GE3
Fabrikant
Vishay Siliconix
BESCHIKBARE HOEVEELHEID
0
DEELNUMMER
SIR846ADP-T1-GE3-DG
EENHEIDSPRIJS
0.86
SUBSTITUTIE TYPE
MFR Recommended
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
RJK0230DPA-WS#J5A
N-CHANNEL POWER MOSFET
SISS30LDN-T1-GE3
MOSFET N-CH 80V 16A/55.5A PPAK
IRF520PBF-BE3
MOSFET N-CH 100V 9.2A TO220AB
