SIE860DF-T1-E3
Fabrikant Productnummer:

SIE860DF-T1-E3

Product Overview

Fabrikant:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Onderdeelnummer:

SIE860DF-T1-E3-DG

Beschrijving:

MOSFET N-CH 30V 60A 10POLARPAK
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 30 V 60A (Tc) 5.2W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount 10-PolarPAK® (M)

Voorraad:

12954956
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN

SIE860DF-T1-E3 Technische specificaties

Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Vishay
Verpakking
-
Reeks
TrenchFET®
Toestand van het product
Obsolete
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
30 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
60A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
4.5V, 10V
Rds aan (max) @ id, vgs
2.1mOhm @ 21.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
105 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
4500 pF @ 15 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
5.2W (Ta), 104W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
10-PolarPAK® (M)
Pakket / Doos
10-PolarPAK® (M)
Basis productnummer
SIE860

Aanvullende informatie

Standaard pakket
3,000

Milieu- en Exportclassificatie

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
diodes

ZVN3320ASTOB

MOSFET N-CH 200V 100MA E-LINE

infineon-technologies

IPP114N03LGHKSA1

N-CHANNEL POWER MOSFET

vishay-siliconix

IRC540PBF

MOSFET N-CH 100V 28A TO220-5

vishay-siliconix

SQ4153EY-T1_BE3

MOSFET P-CHANNEL 12V 25A 8SOIC