SIHA11N80E-GE3
Fabrikant Productnummer:

SIHA11N80E-GE3

Product Overview

Fabrikant:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Onderdeelnummer:

SIHA11N80E-GE3-DG

Beschrijving:

MOSFET N-CH 800V 12A TO220
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 800 V 12A (Tc) 34W (Tc) Through Hole TO-220 Full Pack

Voorraad:

1334 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12965807
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN

SIHA11N80E-GE3 Technische specificaties

Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Vishay
Verpakking
Tube
Reeks
E
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
800 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
10V
Rds aan (max) @ id, vgs
440mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
88 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±30V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
1670 pF @ 100 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
34W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Through Hole
Leverancier Device Pakket
TO-220 Full Pack
Pakket / Doos
TO-220-3 Full Pack
Basis productnummer
SIHA11

Datasheet & Documenten

Technische fiches

Aanvullende informatie

Standaard pakket
50

Milieu- en Exportclassificatie

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
vishay-siliconix

SQJA04EP-T1_GE3

MOSFET N-CH 60V 75A PPAK SO-8

vishay-siliconix

SQ3426AEEV-T1_GE3

MOSFET N-CH 60V 7A 6TSOP

vishay-siliconix

SI4876DY-T1-GE3

MOSFET N-CH 20V 14A 8SO

vishay-siliconix

SQJ431AEP-T1_GE3

MOSFET P-CH 200V 9.4A PPAK SO-8