SIHA5N80AE-GE3
Fabrikant Productnummer:

SIHA5N80AE-GE3

Product Overview

Fabrikant:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Onderdeelnummer:

SIHA5N80AE-GE3-DG

Beschrijving:

E SERIES POWER MOSFET THIN-LEAD
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 800 V 3A (Tc) 29W (Tc) Through Hole TO-220 Full Pack

Voorraad:

958 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12949160
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN

SIHA5N80AE-GE3 Technische specificaties

Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Vishay
Verpakking
Tube
Reeks
E
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
800 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
3A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
10V
Rds aan (max) @ id, vgs
1.35Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
16.5 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±30V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
321 pF @ 100 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
29W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Through Hole
Leverancier Device Pakket
TO-220 Full Pack
Pakket / Doos
TO-220-3 Full Pack

Datasheet & Documenten

Technische fiches
Datasheets
HTML Gegevensblad

Aanvullende informatie

Standaard pakket
50
Andere namen
742-SIHA5N80AE-GE3

Milieu- en Exportclassificatie

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
Not Applicable
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
vishay-siliconix

SI3129DV-T1-GE3

P-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET TSOP

nexperia

PXP6R7-30QLJ

PXP6R7-30QL/SOT8002/MLPAK33

nexperia

PXP013-30QLJ

PXP013-30QL/SOT8002/MLPAK33

infineon-technologies

IRF150P221AKMA1

MOSFET N-CH 150V 186A TO247-3