Fabrikant Productnummer:
SIHB055N60EF-GE3
Product Overview
Fabrikant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
SIHB055N60EF-GE3-DG
Beschrijving:
EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 600 V 46A (Tc) 278W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Voorraad:
995 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12997397
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
SIHB055N60EF-GE3 Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Vishay
Verpakking
Tube
Reeks
EF
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
600 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
46A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
10V
Rds aan (max) @ id, vgs
55mOhm @ 26.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
95 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±30V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
3707 pF @ 100 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
278W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
TO-263 (D2PAK)
Pakket / Doos
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Datasheet & Documenten
Aanvullende informatie
Standaard pakket
50
Andere namen
742-SIHB055N60EF-GE3
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
IXTH60N20X4
MOSFET ULTRA X4 200V 60A TO-247
SIDR402EP-T1-RE3
N-CHANNEL 40 V (D-S) 175C MOSFET
SIHK055N60E-T1-GE3
E SERIES POWER MOSFET POWERPAK 1
