SIHB085N60EF-GE3
Fabrikant Productnummer:

SIHB085N60EF-GE3

Product Overview

Fabrikant:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Onderdeelnummer:

SIHB085N60EF-GE3-DG

Beschrijving:

E SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 600 V 34A (Tc) 184W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Voorraad:

2000 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12991421
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN

SIHB085N60EF-GE3 Technische specificaties

Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Vishay
Verpakking
Tube
Reeks
EF
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
600 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
34A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
10V
Rds aan (max) @ id, vgs
84mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
63 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±30V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
2733 pF @ 100 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
184W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
TO-263 (D2PAK)
Pakket / Doos
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Basis productnummer
SIHB085

Datasheet & Documenten

Technische fiches
Datasheets
HTML Gegevensblad

Aanvullende informatie

Standaard pakket
1,000
Andere namen
742-SIHB085N60EF-GE3

Milieu- en Exportclassificatie

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
vishay-siliconix

SQS460CENW-T1_GE3

AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)

utd-semiconductor

SI2307A

30V 3A 1.25W 80MR@10V,3A 3V@250A

utd-semiconductor

AO3416A

20V 6.5A [email protected],6.5A 1.4W 1.1

utd-semiconductor

2N65G

SOT-223 N-CHANNEL POWER MOSFETS