SIHB10N40D-GE3

Fabrikant Productnummer:

SIHB10N40D-GE3

Product Overview

Fabrikant:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Onderdeelnummer:

SIHB10N40D-GE3-DG

Beschrijving:

MOSFET N-CH 400V 10A TO263

Gedetailleerde Beschrijving:

N-Channel 400 V 10A (Tc) 147W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Voorraad:

Offerte Aanvragen Online

12787055

Offerte Aanvragen

Aantal
Minimaal 1

(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op

INDIENEN

SIHB10N40D-GE3 Technische specificaties

Categorie

FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's

Fabrikant

Vishay

Verpakking

Tube

Reeks

-

Toestand van het product

Active

Soort FET

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Afvoer naar bronspanning (VDSS)

400 V

Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C

10A (Tc)

Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)

10V

Rds aan (max) @ id, vgs

600mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs

30 nC @ 10 V

Vgs (Max.)

±30V

Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds

526 pF @ 100 V

FET-functie

-

Vermogensdissipatie (max.)

147W (Tc)

Werkende Temperatuur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type montage

Surface Mount

Leverancier Device Pakket

TO-263 (D2PAK)

Pakket / Doos

TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

Basis productnummer

SIHB10

Datasheet & Documenten

Technische fiches

Datasheets

HTML Gegevensblad

SIHB10N40D-GE3-DG

Aanvullende informatie

Standaard pakket

1,000

Milieu- en Exportclassificatie

RoHS-status

ROHS3 Compliant

Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)

1 (Unlimited)

Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Certificering

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Gerelateerde Producten

vishay-siliconix

SUD50N03-16P-GE3

MOSFET N-CH 30V TO252

vishay-siliconix

SUP50020E-GE3

MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB

vishay-siliconix

SIHB12N65E-GE3

MOSFET N-CH 650V 12A D2PAK

vishay-siliconix

SIHG47N65E-GE3

MOSFET N-CH 650V 47A TO247AC