Fabrikant Productnummer:
SIHB11N80E-GE3
Product Overview
Fabrikant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
SIHB11N80E-GE3-DG
Beschrijving:
MOSFET N-CH 800V 12A D2PAK
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 800 V 12A (Tc) 179W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Voorraad:
5000 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12787138
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
SIHB11N80E-GE3 Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Vishay
Verpakking
Tube
Reeks
E
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
800 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
10V
Rds aan (max) @ id, vgs
440mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
88 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±30V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
1670 pF @ 100 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
179W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
TO-263 (D2PAK)
Pakket / Doos
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Basis productnummer
SIHB11
Datasheet & Documenten
Aanvullende informatie
Standaard pakket
1,000
Andere namen
SIHB11N80E-GE3-DG
742-SIHB11N80E-GE3
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
SUD50P04-40P-T4-E3
MOSFET P-CH 40V 6A/8A TO252
SUM52N20-39P-E3
MOSFET N-CH 200V 52A TO263
SIHP21N60EF-GE3
MOSFET N-CH 600V 21A TO220AB
