SIHB180N60E-GE3
Fabrikant Productnummer:

SIHB180N60E-GE3

Product Overview

Fabrikant:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Onderdeelnummer:

SIHB180N60E-GE3-DG

Beschrijving:

MOSFET N-CH 600V 19A D2PAK
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 600 V 19A (Tc) 156W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Voorraad:

Offerte Aanvragen Online
12786768
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN

SIHB180N60E-GE3 Technische specificaties

Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Vishay
Verpakking
Bulk
Reeks
E
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
600 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
19A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
10V
Rds aan (max) @ id, vgs
180mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
33 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±30V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
1085 pF @ 100 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
156W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
TO-263 (D2PAK)
Pakket / Doos
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Basis productnummer
SIHB180

Datasheet & Documenten

Technische fiches
SIHB180N60E
Datasheets
SIHB180N60E-GE3
HTML Gegevensblad
SIHB180N60E-GE3-DG

Aanvullende informatie

Standaard pakket
1,000
Andere namen
SIHB180N60E-GE3DKR-DG
SIHB180N60E-GE3DKRINACTIVE
SIHB180N60E-GE3CT
SIHB180N60E-GE3TR
SIHB180N60E-GE3CTINACTIVE
SIHB180N60E-GE3DKR
SIHB180N60E-GE3TR-DG
SIHB180N60E-GE3CT-DG

Milieu- en Exportclassificatie

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternatieve Modellen

DEELNUMMER
R6024ENJTL
Fabrikant
Rohm Semiconductor
BESCHIKBARE HOEVEELHEID
831
DEELNUMMER
R6024ENJTL-DG
EENHEIDSPRIJS
1.59
SUBSTITUTIE TYPE
MFR Recommended
DEELNUMMER
STB28N65M2
Fabrikant
STMicroelectronics
BESCHIKBARE HOEVEELHEID
0
DEELNUMMER
STB28N65M2-DG
EENHEIDSPRIJS
1.53
SUBSTITUTIE TYPE
MFR Recommended
DEELNUMMER
IPB65R150CFDAATMA1
Fabrikant
Infineon Technologies
BESCHIKBARE HOEVEELHEID
1192
DEELNUMMER
IPB65R150CFDAATMA1-DG
EENHEIDSPRIJS
1.90
SUBSTITUTIE TYPE
MFR Recommended
DEELNUMMER
IPB60R165CPATMA1
Fabrikant
Infineon Technologies
BESCHIKBARE HOEVEELHEID
3135
DEELNUMMER
IPB60R165CPATMA1-DG
EENHEIDSPRIJS
2.21
SUBSTITUTIE TYPE
MFR Recommended
DIGI Certificering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Gerelateerde Producten
vishay-siliconix

SIRC06DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 32A/60A PPAK SO8

vishay-siliconix

SIJ186DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 60V 23A/79.4A PPAK

vishay-siliconix

SIR670DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8

vishay-siliconix

SIR606DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 100V 37A PPAK SO-8