SIHB20N50E-GE3
Fabrikant Productnummer:

SIHB20N50E-GE3

Product Overview

Fabrikant:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Onderdeelnummer:

SIHB20N50E-GE3-DG

Beschrijving:

MOSFET N-CH 500V 19A D2PAK
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 500 V 19A (Tc) 179W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Voorraad:

2658 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12919659
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN

SIHB20N50E-GE3 Technische specificaties

Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Vishay
Verpakking
Bulk
Reeks
-
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
500 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
19A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
10V
Rds aan (max) @ id, vgs
184mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
92 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±30V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
1640 pF @ 100 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
179W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
TO-263 (D2PAK)
Pakket / Doos
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Basis productnummer
SIHB20

Datasheet & Documenten

Technische fiches
SIHB20N50E
Datasheets
SIHB20N50E-GE3
HTML Gegevensblad
SIHB20N50E-GE3-DG

Aanvullende informatie

Standaard pakket
1,000

Milieu- en Exportclassificatie

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Gerelateerde Producten
vishay-siliconix

SI5475DC-T1-GE3

MOSFET P-CH 12V 5.5A 1206-8

nexperia

BUK9510-100B,127

MOSFET N-CH 100V 75A TO220AB

vishay-siliconix

SI4860DY-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 11A 8SO

vishay-siliconix

SI7404DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 8.5A PPAK 1212-8