Fabrikant Productnummer:
SIHB24N65ET1-GE3
Product Overview
Fabrikant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
SIHB24N65ET1-GE3-DG
Beschrijving:
MOSFET N-CH 650V 24A TO263
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 650 V 24A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Voorraad:
12787602
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
SIHB24N65ET1-GE3 Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Vishay
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Reeks
E
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
650 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
24A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
10V
Rds aan (max) @ id, vgs
145mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
122 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±30V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
2740 pF @ 100 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
250W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
TO-263 (D2PAK)
Pakket / Doos
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Basis productnummer
SIHB24
Datasheet & Documenten
Aanvullende informatie
Standaard pakket
800
Milieu- en Exportclassificatie
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatieve Modellen
DEELNUMMER
IXFA22N65X2
Fabrikant
IXYS
BESCHIKBARE HOEVEELHEID
250
DEELNUMMER
IXFA22N65X2-DG
EENHEIDSPRIJS
2.56
SUBSTITUTIE TYPE
MFR Recommended
DEELNUMMER
TK16G60W,RVQ
Fabrikant
Toshiba Semiconductor and Storage
BESCHIKBARE HOEVEELHEID
994
DEELNUMMER
TK16G60W,RVQ-DG
EENHEIDSPRIJS
2.68
SUBSTITUTIE TYPE
MFR Recommended
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
SISA14DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 20A PPAK1212-8
SIR472ADP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 18A PPAK SO-8
SIS415DNT-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 35A PPAK1212-8
