Fabrikant Productnummer:
SIHB24N80AE-GE3
Product Overview
Fabrikant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
SIHB24N80AE-GE3-DG
Beschrijving:
MOSFET N-CH 800V 21A D2PAK
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 800 V 21A (Tc) 208W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Voorraad:
584 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12982520
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
SIHB24N80AE-GE3 Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Vishay
Verpakking
Tube
Reeks
-
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
800 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
21A (Tc)
Rds aan (max) @ id, vgs
184mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
89 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±30V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
1836 pF @ 100 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
208W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
TO-263 (D2PAK)
Pakket / Doos
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Basis productnummer
SIHB24
Datasheet & Documenten
Technische fiches
Datasheets
HTML Gegevensblad
Aanvullende informatie
Standaard pakket
50
Andere namen
742-SIHB24N80AE-GE3
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
MRH25N12U3
RH MOSFET _ U3
SIHG24N80AE-GE3
MOSFET N-CH 800V 21A TO247AC
AUIRF7732S2TR
MOSFET N-CH 40V 14A DIRECTFET SC
