Fabrikant Productnummer:
SIHB6N65E-GE3
Product Overview
Fabrikant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
SIHB6N65E-GE3-DG
Beschrijving:
MOSFET N-CH 650V 7A D2PAK
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 650 V 7A (Tc) 78W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Voorraad:
12919026
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
SIHB6N65E-GE3 Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Vishay
Verpakking
Tube
Reeks
-
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
650 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
7A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
10V
Rds aan (max) @ id, vgs
600mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
48 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±30V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
820 pF @ 100 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
78W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
TO-263 (D2PAK)
Pakket / Doos
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Basis productnummer
SIHB6
Datasheet & Documenten
Technische fiches
Aanvullende informatie
Standaard pakket
1,000
Andere namen
SIHB6N65E-GE3CT-DG
SIHB6N65E-GE3TR
SIHB6N65E-GE3CT
SIHB6N65E-GE3TR-DG
SIHB6N65E-GE3TRINACTIVE
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatieve Modellen
DEELNUMMER
STB11NM60T4
Fabrikant
STMicroelectronics
BESCHIKBARE HOEVEELHEID
622
DEELNUMMER
STB11NM60T4-DG
EENHEIDSPRIJS
1.81
SUBSTITUTIE TYPE
MFR Recommended
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
SI6433BDQ-T1-GE3
MOSFET P-CH 12V 4A 8TSSOP
SIHW70N60EF-GE3
MOSFET N-CH 600V 70A TO247AD
SI4396DY-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 16A 8SO
