Fabrikant Productnummer:
SIHD6N62ET1-GE3
Product Overview
Fabrikant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
SIHD6N62ET1-GE3-DG
Beschrijving:
MOSFET N-CH 620V 6A TO252AA
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 620 V 6A (Tc) 78W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Voorraad:
12787179
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
SIHD6N62ET1-GE3 Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Vishay
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Reeks
E
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
620 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
6A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
10V
Rds aan (max) @ id, vgs
900mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
34 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±30V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
578 pF @ 100 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
78W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
TO-252AA
Pakket / Doos
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Basis productnummer
SIHD6
Datasheet & Documenten
Aanvullende informatie
Standaard pakket
2,000
Andere namen
SIHD6N62ET1-GE3DKR
SIHD6N62ET1-GE3CT
SIHD6N62ET1-GE3-DG
SIHD6N62ET1-GE3TR
Milieu- en Exportclassificatie
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatieve Modellen
DEELNUMMER
STB6NK60ZT4
Fabrikant
STMicroelectronics
BESCHIKBARE HOEVEELHEID
33
DEELNUMMER
STB6NK60ZT4-DG
EENHEIDSPRIJS
1.02
SUBSTITUTIE TYPE
MFR Recommended
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
SQM120P10_10M1LGE3
MOSFET P-CH 100V 120A TO263
SUP90N06-5M0P-E3
MOSFET N-CH 60V 90A TO220AB
SUM27N20-78-E3
MOSFET N-CH 200V 27A TO263
