Fabrikant Productnummer:
SIHF30N60E-GE3
Product Overview
Fabrikant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
SIHF30N60E-GE3-DG
Beschrijving:
MOSFET N-CH 600V 29A TO220
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 600 V 29A (Tc) 37W (Tc) Through Hole
Voorraad:
2979 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12786617
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
SIHF30N60E-GE3 Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Vishay
Verpakking
Tube
Reeks
E
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
600 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
29A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
10V
Rds aan (max) @ id, vgs
125mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
130 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±30V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
2600 pF @ 100 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
37W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Through Hole
Pakket / Doos
TO-220-3 Full Pack
Basis productnummer
SIHF30
Datasheet & Documenten
Aanvullende informatie
Standaard pakket
1
Andere namen
SIHF30N60E-GE3DKRINACTIVE
SIHF30N60E-GE3DKR
SIHF30N60E-GE3DKR-DG
742-SIHF30N60E-GE3
SIHF30N60E-GE3CT
SIHF30N60E-GE3CT-DG
SIHF30N60E-GE3TR
SIHF30N60E-GE3-DG
SIHF30N60E-GE3TR-DG
SIHF30N60E-GE3TRINACTIVE
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
Vendor Undefined
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
SIR166DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
SISS60DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 50.1/181.8A PPAK
SIHP16N50C-E3
MOSFET N-CH 500V 16A TO220AB
