Fabrikant Productnummer:
SIHFBC40AS-GE3
Product Overview
Fabrikant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
SIHFBC40AS-GE3-DG
Beschrijving:
MOSFET N-CHANNEL 600V
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 600 V 6.2A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Voorraad:
1993 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
13000363
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
SIHFBC40AS-GE3 Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Vishay
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Reeks
-
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
600 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
6.2A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
10V
Rds aan (max) @ id, vgs
1.2Ohm @ 3.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
42 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±30V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
1036 pF @ 25 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
125W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
TO-263 (D2PAK)
Pakket / Doos
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Datasheet & Documenten
Technische fiches
Aanvullende informatie
Standaard pakket
1,000
Andere namen
742-SIHFBC40AS-GE3CT
742-SIHFBC40AS-GE3TR
742-SIHFBC40AS-GE3DKR
Milieu- en Exportclassificatie
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
G18P03D3
P30V,RD(MAX)<10M@-10V,RD(MAX)<15
IRFB5615PBFXKMA1
MOSFET N-CH
DMN2991UFO-7B
MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DFN0604-
