Fabrikant Productnummer:
SIHG17N80E-GE3
Product Overview
Fabrikant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
SIHG17N80E-GE3-DG
Beschrijving:
MOSFET N-CH 800V 15A TO247AC
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 800 V 15A (Tc) 208W (Tc) Through Hole TO-247AC
Voorraad:
12786281
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
SIHG17N80E-GE3 Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Vishay
Verpakking
Tube
Reeks
E
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
800 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
15A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
10V
Rds aan (max) @ id, vgs
290mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
122 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±30V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
2408 pF @ 100 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
208W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Through Hole
Leverancier Device Pakket
TO-247AC
Pakket / Doos
TO-247-3
Basis productnummer
SIHG17
Datasheet & Documenten
Aanvullende informatie
Standaard pakket
50
Milieu- en Exportclassificatie
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatieve Modellen
DEELNUMMER
IXTH30N60L2
Fabrikant
IXYS
BESCHIKBARE HOEVEELHEID
475
DEELNUMMER
IXTH30N60L2-DG
EENHEIDSPRIJS
12.61
SUBSTITUTIE TYPE
MFR Recommended
DEELNUMMER
IXTH20N65X
Fabrikant
IXYS
BESCHIKBARE HOEVEELHEID
595
DEELNUMMER
IXTH20N65X-DG
EENHEIDSPRIJS
5.92
SUBSTITUTIE TYPE
MFR Recommended
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
SIR108DP-T1-RE3
MOSFET N-CH 100V 12.4A/45A PPAK
SQD50N04-09H-GE3
MOSFET N-CH 40V 50A TO252
SUD50N02-09P-GE3
MOSFET N-CH 20V 20A TO252